- id 16552009
- 11.11.2026
Оперативная память G.Skill Aegis 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GIS
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
Компания производитель: G.Skill
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
Компания производитель: G.Skill
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
Компания производитель: G.Skill
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Компания производитель: Crucial
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
Компания производитель: Patriot
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
Компания производитель: Patriot
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Компания производитель: Apacer
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
Компания производитель: Patriot
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
Компания производитель: Kingston
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
Компания производитель: Kingston
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
Компания производитель: Kingston
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Компания производитель: Micron
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Компания производитель: Apacer
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
Компания производитель: Kingston
64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
Компания производитель: Kingston
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
Компания производитель: Patriot
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
Компания производитель: BIOSTAR
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Компания производитель: BIOSTAR